<address id="jnn9p"></address>

      <form id="jnn9p"></form><em id="jnn9p"></em>

      <form id="jnn9p"><form id="jnn9p"></form></form>

      
      

            <em id="jnn9p"></em>
            <em id="jnn9p"></em>

              <form id="jnn9p"><nobr id="jnn9p"><nobr id="jnn9p"></nobr></nobr></form>

                    SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區別


                    功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化,一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優勢前面已經介紹過,如低損耗、高速開關、高溫工作等,顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較,進一步加深對SiC-MOSFET的理解。


                    2022-07-28

                    英飛凌采訪:第三代半導體與硅器件將長期共存


                    相較于傳統的硅材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料,具有更大的禁帶寬度、更高的臨界場強,使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有耐高壓、低導通電阻、寄生參數小等優異特性。


                    2022-07-28

                    IGBT 功率模塊熱管理研究


                    隨著絕緣柵雙極晶體管(IGBT )向高功率和高集成度方向發展,在結構和性能上有很大的改進,熱產生問題日益突出,對散熱的要求越來越高,IGBT 芯片是產生熱量的核心功能器件,但熱量的積累會嚴重影響器件的工作性能。


                    2022-07-28

                    < 1234 >

                    志豪微電子(惠州)有限公司

                    公司地址:廣東省惠州市仲愷高新區仲愷大道252號航天科技工業園4號樓

                    總機電話:86-752-2609360

                    業務電話:86-752-2609331

                    電子郵箱:marketing@chmicro.com

                     

                    關注我們

                    關注公眾號

                    關注公眾號

                    © COPYRIGHT 2022 志豪微電子(惠州)有限公司. ALL RIGHTS RESERVED | 技術支持:中企動力 惠州 | 粵ICP備2022086473號 | SEO標簽

                    国产情侣水滴摄像头| 亚洲人成电影在线观看| 亚洲熟伦熟女专区HD高清| 性爱动图| 日b网站| ZZoo兽皇| 荡翁乱妇| JIZZJIZZ日本护士水多国产| 三上悠亚在线观看| 黄片地址| 日本公与熄乱理免费观看| 尤物网| 欧美3p两根一起进高清视频| 黄色录像在线观看| 中国乱辈通奷XXXXXHD| 五个黑人玩一个女5P视频| 糟蹋稚嫩的身体发泄H| 性爱美图| 免费播放男人添女人下边| 好看的h文| 一二三四高清视频免费看| 亚洲精品无码久久久久电影网| 秘书被C摁到办公H| 在线看三级片| hentaikey| 国产老熟女乱子人伦视频| 色吧导航| 猛男卖屁股(H)| 女人与公拘交酡在线| 美女趴开内衣露出尖尖的奶头| 免费黄色网址| 国产三部顶级爱情经典片直播| 中文字幕av| 和上司交换娇妻在线播放| 性妇BBW搡BBBB搡BBBB| 丫鬟的艳史H| 大白屁股| 啪啪动图边摸边吃奶做爽动态| GAYFUCKGAYFUCKINGXIENU| 动漫h图| 木木坏| 色男人网站| 东北夫妇大炕交换乱P| 半妖乳娘| 日b网| 我和漂亮岳的性经历| 东北小伙搡老女人老熟女|