SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區別
功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2022-07-28
相較于傳統的硅材料，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料，具有更大的禁帶寬度、更高的臨界場強，使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有耐高壓、低導通電阻、寄生參數小等優異特性。
2022-07-28
隨著絕緣柵雙極晶體管(IGBT )向高功率和高集成度方向發展，在結構和性能上有很大的改進，熱產生問題日益突出，對散熱的要求越來越高，IGBT 芯片是產生熱量的核心功能器件，但熱量的積累會嚴重影響器件的工作性能。
2022-07-28
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